Варианты квартир в Новосибирске
Варианты квартирFAQ квартиросъёмщикаПолезные советыРеклама на нашем порталеКонтактная информация

Это надо знать

Исследование процесса нанесения нитрида кремния методом реактивного магнетронного распыления
назад

Исследование процесса нанесения нитрида кремния методом реактивного магнетронного распыления

Одним из способов повения стабильности планарных приборов является выращивание поверх слоя Si02 пленки Si3N4, улучшающей изоляцию поверхности активных структур. Для получения плёнок Si3N4 используются методы катодного и высокочастотного реактивного распыления, а также осаждение из газовых смесей на основе реакций взаимодействия силана с аммиаком, тетрахлорида кремния с аммиаком, силана с гидрозином или тетрабромида кремния с азотом. В статье приводятся результаты исследования параметров режима нанесения пленок Si3N4 методом реактивного магнетронного распыления на установке Каролина D 10 К, оснащенной ионным источником (ИИ) и магнетронными распылительными устройствами (МРУ). Установка обеспечивает проведение следующих операций очистку поверхности изделий перед нанесением с помощью протяженного ИИ для улучшения адгезии пленок; нагрев изделий до заданной температуры, с контролем и поддержанием температуры в процессе осаждения слоев; стабилизацию заданного расхода технологических газов по трем каналам и контроль расхода газа по каждому каналу. Обрабатываемые подложки размещаются в легкосъемных кассетах на вращающемся барабане с вертикальной осью. Вдоль образующей барабана в вертикальном положении устанавливается ИИ и до трех МРУ с прямоугольными мишенями.

В статье приводятся результаты исследования зависимости параметров разряда (вольт-амперных характеристик) от состава газовой смеси, расхода газов, а также влияния указанных факторов на качество наносимых слоев Si3N4. Проведена оценка скоростей осаждения пленки при различных режимах, а также ее толщины и коэффициента преломления. Исследования показали перспективность процесса реактивного магнетронного распыления для формирования качественных изолирующих пленок Si3N4.

Применение генетического алгоритма для решения задач размещения разногабаритных сложных функциональных блоков заказных СБИС

На практике довольно часто приходится решать задачу размещения разногабаритных сложных функциональных (СФ) блоков заказных СБИС на пространстве кристалла. Исходными данными для размещения являются габариты блоков и площади кристалла. Исходными данными является связанный список, который описывает связи СФ блоков между собой, плотно прилегающие друг к другу и не пересекающиеся. Необходимо найти вариант размещения СФ-блоков на кристалле таким образом, чтобы общая площадь кристалла была минимальная, а размещенные блоки оставляли минимальное неиспользованное пространство. Данная задача, относящаяся к классу оптимизационных задач, может быть решена с использованием генетических алгоритмов. Для применения стандартного генетического алгоритма необходимо внести в него ряд модификаций для конкретной, решаемой задачи. При создании программной реализации генетического алгоритма размещения были выполнены следующие модификации хромосома представляет собой связанный список свойств СФ-блоков (длина, ширина, имя и др); в качестве оператора мутации используется вероятностное изменение случайной позиции хромосомы. В качестве оператора рекомбинации используется одноточечный вариант кроссинговера; условие завершения эволюции задается в виде определения числа поколений либо в виде условия достижения максимального перекрытия площади. Результаты проведенных исследований поведения генетического алгоритма однозначно показали эффективность схемы пропорционального отбора при решении задачи размещения методом генетического алгоритма.

Специализированное устройство видеоввода

В настоящий момент актуальной задачей является получение цифрового сигнала от видеокамер в ЭВМ с малыми задержками. Существующие устройства видеоввода вносят задержи от 0,3 до нескольких секунд. Для этих целей разрабатывается плата видеоввода, которая имеет два видеовхода, может одновременно оцифровывать два видеосигнала и передавать их по сети Ethernet. Для своевременного решения некоторых задач, а также для разгрузки основного процессора ЭВМ, в данном устройстве имеется четыре процессора. С их помощью сжимается изображение для сокращения объема передачи. Для увеличения скорости передачи, она ведется по 8 строк. Характеристики платы видеоввода видеовхода, стандартного телевизионного изображения скорость передачи 25 кадров в секунду на канал интерфейс связи Ethernet ЮМбитс. напряжение питания 3,3В Скорость Ethernet взята из требований к устройству. Передающее устройство выполнено в виде мезонина и вместо Ethernet передатчика может быть установлено любое другое (CAN, USB, Fire Wire). Данное устройство может использоваться для дистанционного управления роботами. При помощи этого устройства происходит обработка видеоизображения, что позволяет роботу своевременно реагировать. Также имеется возможность автоматизированного сопровождения объектов. Данное устройство также можно использовать и для создания охранных комплексов, реализовать автоматический поиск и сопровождение движущихся объектов, автоматический поиск подозрительных предметов. Автоматическое слежение за местоположением охраняемых предметов. Имеется возможность кодирования изображения. Еще одной важной особенность является то, что это устройство работает не зависимо от ЭВМ.

Дата: 16 июня 2012